内容介绍：第三部分 习题与解答习题 1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓 度则与 温度 有很大关系。 2、当 PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。当外加反向 电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。 3、在 N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。二．判断题1、由于 P 型半导体中含有